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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30TD70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| 封裝： | 0.75 MM PITCH, VFBGA-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/104頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1443K |
| 代理商： | GE28F640W30TD70 |
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28F640W30, 28F320W30, 28F128W30
June 2005
Intel Wireless Flash Memory (W30)
Datasheet
20
Order Number: 290702, Revision: 011
Notes:
1.
On lower density flash memory devices, the upper address balls can be treated as NC (that is, on 64-Mb
density, A[25:23]are NC)
2.
See Appendix C, “Ordering Information” on page 103 for mechanical specifications for the package.
Figure 7.
88-Ball (80 Active Balls) QUAD+ Ballout
Flash specific
SRAM/PSRAM specific
Global
Legend:
Top View - Ball Side Down
8
7
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
DU
A4
DU
A5
A3
A2
A7
A1
A6
A0
A18
A19
VSS
A23
A24
A25
A17
F2-VCC
CLK
A21
A22
A12
A11
A13
A9
P1-CS#
F-VPP,
F-VPEN
A20
A10
A15
F-WE#
A8
D8
D2
D10
D5
D13
WAIT
A14
A16
F1-CE#
P-Mode,
P-CRE
VSS
P2-CS#
F1-VCC
F2-VCC
VCCQ
F3-CE#
D0
D1
D9
D3
D4
D6
D7
D15
D11
D12
D14
F1-OE#
F2-OE#
P-VCC
S-CS2
R-WE#
R-UB#
R-LB#
R-OE#
S-VCC
S-CS1#
F1-VCC
F-WP#
ADV#
F-RST#
F2-CE#
VCCQ
VSS
VCCQ
VSS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEN12.5-120 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GEN12.5-60 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GFL750 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL500 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL350 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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