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參數(shù)資料
| 型號： | UPD70F3214HGC-8EU |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 32-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| 中文描述： | 32位單芯片微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 656/861頁 |
| 文件大?。?/td> | 3910K |
| 代理商： | UPD70F3214HGC-8EU |
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User’s Manual U16890EJ1V0UD
656
CHAPTER 26 FLASH MEMORY (SINGLE POWER)
The following products are the flash memory versions (single power) of the V850ES/KG1.
Caution There are differences in noise immunity and noise radiation between the flash memory and mask
ROM versions. When pre-producing and application set with the flash memory version and then
mass-producing it with the mask ROM version, be sure to conduct sufficient evaluation for the
commercial samples (not engineering samples) of the mask ROM version.
For the electrical specifications related to the flash memory rewriting, refer to CHAPTER 28
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (MASK ROM VERSION OF 256 KB AND SINGLE-POWER FLASH
MEMORY VERSION) (TARGET).
μ
PD70F3214H, 70F3214HY: 128 KB flash memory
μ
PD70F3215H, 70F3215HY: 256 KB flash memory
Flash memory versions are commonly used in the following development environments and mass production
applications.
{
For altering software after the V850ES/KG1 is soldered onto the target system.
{
For data adjustment when starting mass production.
{
For differentiating software according to the specification in small scale production of various models.
{
For facilitating inventory management.
{
For updating software after shipment.
26.1 Features
{
4-byte/1-clock access (when instruction is fetched)
{
Capacity: 256/128 KB
{
Write voltage: Erase/write with a single power supply
{
Rewriting method
Rewriting by communication with dedicated flash programmer via serial interface (on-board/off-board
programming)
Rewriting flash memory by user program (self programming)
{
Flash memory write prohibit function supported (security function)
{
Safe rewriting of entire flash memory area by self programming using boot swap function
{
Interrupts can be acknowledged during self programming.
Caution When writing/erasing the flash memory using a flash programmer, a single-power flash memory
differs from a two-power flash memory in the following points.
A flash programming mode setting pin (FLMD1 pin) must be connected in addition to the pins
connected in a two-power flash memory.
The pin used as a handshake signal differs when writing/erasing the flash memory with CSI +
HS communication.
Two-power flash memory:
PCS1/CS1
Single-power flash memory: PCM0/WAIT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD70F3214HY | 32-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| UPD71011 | COCK PULSE GENERATOR/DIRVER |
| UPD71011C-10 | COCK PULSE GENERATOR/DIRVER |
| UPD71011C-8 | COCK PULSE GENERATOR/DIRVER |
| UPD71011G-8 | COCK PULSE GENERATOR/DIRVER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD70F3214HY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| UPD70F3216 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| UPD70F3217 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| UPD70F3217A | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| UPD70F3217GJA-UEN | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32-Bit Single-Chip Microcontrollers |
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