- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371436 > 28F640C3 (Intel Corp.) 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F640C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 3伏高級(jí)啟動(dòng)塊閃存（3伏高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 894K |
| 代理商： | 28F640C3 |
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28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
3UHOLPLQDU\
3
2.0
Product Description
This section provides device pin descriptions and package pinouts for the 3 Volt Advanced+ Boot
Block flash memory family, which is available in 48-lead TSOP (x16) and 48-ball
μ
BGA and Easy
BGA packages (Figures 1, 2 and 3, respectively).
2.1
Package Pinouts
NOTE:
Lower densities will have NC on the upper address pins. For example, a 16-Mbit device will have NC on
Pins 9 and 10.
Figure 1. 48-Lead TSOP Package
Advanced+ Boot Block
48-Lead TSOP
12 mm x 20 mm
TOP VIEW
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64 M
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
| 28M0U | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DC | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DS | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640C3BC80 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3C120 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3C-120 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3D75 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
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