- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371436 > 28F640C3 (Intel Corp.) 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F640C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級啟動塊閃存（3伏高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 10/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 894K |
| 代理商： | 28F640C3 |
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28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
4
3UHOLPLQDU\
NOTES:
1. Shaded connections indicate the upgrade address connections. Lower density devices will not have the
upper address solder balls. Routing is not recommended in this area. A
is the upgrade address for the
16-Mbit device. A
20
is the upgrade address for the 32-Mbit device. A
21
is the upgrade address for the 64-Mbit
device.
2. 8-Mbit not available on
μ
BGA* CSP.
Figure 2.
48-Ball μBGA* and 48-Ball Very Thin Profile Fine Pitch BGA Chip Size Package
(Top View, Ball Down)
A
13
A
14
A
15
A
16
V
CCQ
A
11
A
10
A
12
D
14
D
15
A
8
WE#
A
9
D
5
D
6
V
PP
RP#
D
11
D
12
WP#
A
20
D
2
D
3
A
19
A
17
A
6
D
8
D
9
A
7
A
5
A
3
CE#
D
0
A
4
A
2
A
1
A
0
GND
GND
D
7
D
13
D
4
V
CC
D
10
D
1
OE#
A
B
C
D
E
F
1
3
2
5
4
7
6
8
16M
32M
A
18
A
21
64M
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
| 28M0U | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DC | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DS | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640C3BC80 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3C120 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3C-120 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3D75 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
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