參數(shù)資料
型號： 28F640C3
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器)
中文描述： 3伏高級啟動塊閃存（3伏高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 11/70頁
文件大小： 894K
代理商： 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
3UHOLPLQDU\
5
16fast
NOTES:
1. A
19
denotes 16 Mbit; A
denotes 32 Mbit; A
denotes 64 Mbit.
2. A
22
indicates future density upgrade path to128 Mbit (not yet available).
Figure 3. 8 x 8 Easy BGA Package
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
Top View - Ball Side Down
Bottom View - Ball Side Up
A
1
A
6
A
18
V
PP
V
CC
GND
A
10
A
15
A
2
A
17
A
19
(1)
RP#
DU
A
20
(1)
A
11
A
14
A
3
A
7
WP# WE#
DU
A
21
(1)
A
12
A
13
A
4
A
5
DU
DQ
8
DQ
1
DQ
9
DQ
3
DQ
12
DQ
6
DU
DU
CE#
DQ
0
DQ
10
DQ
11
DQ
5
DQ
14
DU
DU
A
0
V
SSQ
DQ
2
DQ
4
DQ
13
DQ
15
GND
A
16
A
22
(2)
OE# V
CCQ
V
CC
V
SSQ
DQ
7
V
CCQ
DU
DU
DU
DU
A
8
A
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A
15
A
10
GND
V
CC
V
PP
A
18
A
6
A
1
A
14
A
11
A
20
(1)
DU
RP# A
19
(1)
A
17
A
2
A
13
A
12
A
21
(1)
DU
WE# WP#
A
7
A
3
A
9
A
8
DU
DU
DU
DQ
6
DQ
12
DQ
3
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DU
DU
DQ
14
DQ
5
DQ
11
DQ
10
DQ
0
CE#
A
16
GND
D
15
D
13
DQ
4
DQ
2
V
SSQ
A
0
DU
V
CCQ
D
7
V
SSQ
V
CC
V
CCQ
OE#
A
22
(2)
DU
DU
DU
A
5
A
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
28M0U 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F640C3BC80 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J5 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory
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