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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導塊閃速存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級啟動塊閃存（3伏高級快速引導塊閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 19/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 894K |
| 代理商： | 28F640C3 |
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28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
3UHOLPLQDU\
13
NOTES:
1. Following the Read Configuration or Read Query commands, read operations output device configuration or
CFI query information, respectively. See
Section 3.2.2
and
Section 3.2.4
.
2. Either 40H or 10H command is valid, but the Intel standard is 40H.
3. When writing commands, the upper data bus [DQ
8–
DQ
15
] should be either V
IL
or V
IH
, to minimize current
draw.
Bus operations are defined in
Table 3, “Bus Operations” on page 8
.
Table 5. Command Bus Operations
Command
Notes
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Oper
Addr
Data
Oper
Addr
Data
Read Array
1
Write
X
FFH
Read Configuration
1, 2
Write
X
90H
Read
IA
ID
Read Query
1, 2
Write
X
98H
Read
QA
QD
Read Status Register
1
Write
X
70H
Read
X
SRD
Clear Status Register
1
Write
X
50H
Program
1, 3
Write
X
40H/10H
Write
PA
PD
Block Erase/Confirm
1
Write
X
20H
Write
BA
D0H
Program/Erase Suspend
1
Write
X
B0H
Program/Erase Resume
1
Write
X
D0H
Lock Block
1
Write
X
60H
Write
BA
01H
Unlock Block
1
Write
X
60H
Write
BA
D0H
Lock-Down Block
1
Write
X
60H
Write
BA
2FH
Protection Program
1
Write
X
C0H
Write
PA
PD
X = Don’t Care
PA = Prog Addr
BA = Block Addr
IA
=
Identifier Addr.
QA = Query Addr.
SRD = Status Reg.
Data
PD = Prog Data
ID = Identifier Data
QD = Query Data
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