參數(shù)資料
型號(hào)： W972GG8JB-25
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
封裝： 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 80/86頁(yè)
文件大?。?/td> 1466K
代理商： W972GG8JB-25
W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 81 -
Revision A02
10.26 Burst read with Auto-precharge followed by an activation to the same bank
(tRP Limit): RL=5 (AL=2, CL=3, internal tRCD=3, BL=4, tRTP ≤ 2clks)
NOP
Post CAS
READA
Bank A
Activate
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
T8
≥ tRAS min.
AL = 2
CL = 3
RL = 5
NOP
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
DQ's
Auto-precharge begins
A10 = 1
tRP min.
≥ tRC
10.27 Burst write with Auto-precharge (tRC Limit): WL=2, WR=2, BL=4, tRP=3
tRC min.
WL= RL- 1 = 2
≥ WR
≥ tRP
NOP
Post CAS
WRA Bank A
Bank A
Activate
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Auto-precharge Begins
A10 = 1
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
DQ's
Completion of the Burst Write
Tm
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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WS512K32-35G4M 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68
WS512K32-35G4Q 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68
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參數(shù)描述
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W9751G6JB 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM
W9751G6JB-25 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII
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