- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄231501 > W972GG8JB-25 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W972GG8JB-25 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 32/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁當(dāng)前第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁
W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 38 -
Revision A02
9.4
ODT DC Electrical Characteristics
PARAMETER/CONDITION
SYM.
MIN.
NOM.
MAX.
UNIT
NOTES
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=0,1; 75 Ω
Rtt1(eff)
60
75
90
Ω
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,0; 150
Ω
Rtt2(eff)
120
150
180
Ω
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,1; 50
Ω
Rtt3(eff)
40
50
60
Ω
1, 2
Deviation of VM with respect to VDDQ/2
ΔVM
-6
+6
%
1
Notes:
1. Test condition for Rtt measurements.
2. Optional for DDR2-667, mandatory for DDR2-800 and DDR2-1066.
Measurement Definition for Rtt(eff):
Apply VIH (ac) and VIL (ac) to test pin separately, then measure current I(VIH (ac)) and I(VIL (ac))
respectively. VIH (ac), VIL (ac), and VDDQ values defined in SSTL_18.
Rtt(eff) = (VIH(ac)
– VIL(ac)) /(I(VIHac) – I(VILac))
Measurement Definition for
ΔVM:
Measure voltage (VM) at test pin (midpoint) with no load.
ΔVM = ((2 x Vm / VDDQ) – 1) x 100%
9.5
Input DC Logic Level
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
DC input logic HIGH
VIH(dc)
VREF + 0.125
VDDQ + 0.3
V
DC input logic LOW
VIL(dc)
-0.3
VREF - 0.125
V
9.6
Input AC Logic Level
PARAMETER
SYM.
-18
-25/25I/-3
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
AC input logic HIGH
VIH (ac)
VREF + 0.200
VREF + 0.200
VDDQ + VPEAK
1
V
AC input logic LOW
VIL (ac)
VREF - 0.200
VSSQ - VPEAK
1
VREF - 0.200
V
Note:
1. Refer to the page 66 sections 9.14.1 and 9.14.2 AC Overshoot/Undershoot specification table for VPEAK value: maximum
peak amplitude allowed for Overshoot/Undershoot.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-150CJC | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQCC68 |
| W73B586A-09L | 32K X 18 CACHE SRAM, 9 ns, PQCC52 |
| WS512K32-100G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 80WBGA |
| W972GG8JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS |
| W9751G6IB-25 | 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9751G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。