- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄231501 > W972GG8JB-25 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W972GG8JB-25 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 45/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁當前第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁
W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 5 -
Revision A02
3.
KEY PARAMETERS
SYM.
SPEED GRADE
DDR2-1066
DDR2-800
DDR2-667
Bin(CL-tRCD-tRP)
7-7-7
5-5-5/6-6-6
5-5-5
Part Number Extension
-18
-25/25I
-3
tCK(avg)
Average clock period
@CL = 7
Min.
1.875 nS
Max.
7.5 nS
@CL = 6
Min.
2.5 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 5
Min.
3 nS
2.5 nS
3 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 4
Min.
3.75 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 3
Min.
5 nS
Max.
8 nS
tRCD
Active to Read/Write Command Delay Time
Min.
13.125 nS
12.5 nS
15 nS
tRP
Precharge to Active Command Period
Min.
13.125 nS
12.5 nS
15 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
58.125 nS
57.5 nS
60 nS
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
45 nS
IDD0
Operating one bank active-precharge current
Max.
85 mA
72 mA
69 mA
IDD1
Operating one bank active-read-precharge current
Max.
85 mA
80 mA
75 mA
IDD4R
Operating burst read current
Max.
165 mA
135 mA
120 mA
IDD4W
Operating burst write current
Max.
145 mA
120 mA
110 mA
IDD5B
Burst refresh current
Max.
175 mA
160 mA
150 mA
IDD6
Self refresh current (TCASE
≤ 85°C)
Max.
12 mA
IDD7
Operating bank interleave read current
Max.
220 mA
200 mA
180 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-150CJC | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQCC68 |
| W73B586A-09L | 32K X 18 CACHE SRAM, 9 ns, PQCC52 |
| WS512K32-100G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 80WBGA |
| W972GG8JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS |
| W9751G6IB-25 | 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9751G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。