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參數(shù)資料
| 型號： | W972GG8JB-25 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 33/86頁 |
| 文件大小： | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25 |
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W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 39 -
Revision A02
9.7
Capacitance
SYM.
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
CCK
Input Capacitance , CLK and CLK
1.0
2.0
pF
CDCK
Input Capacitance delta , CLK and CLK
0.25
pF
CI
input Capacitance, all other input-only pins
1.0
2.0
pF
CDI
Input Capacitance delta, all other input-only pins
0.25
pF
CIO
Input/output Capacitance, DQ, DM,
DQS, DQS ,RDQS, RDQS
2.5
3.5
pF
CDIO
Input/output Capacitance delta, DQ, DM,
DQS, DQS ,RDQS, RDQS
0.5
pF
9.8
Leakage and Output Buffer Characteristics
SYM.
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
IIL
Input Leakage Current
(0V
≤ VIN ≤ VDD)
-2
2
A
1
IOL
Output Leakage Current
(Output disabled, 0V
≤ VOUT ≤ VDDQ)
-5
5
A
2
VOH
Minimum Required Output Pull-up
VTT + 0.603
V
VOL
Maximum Required Output Pull-down
VTT - 0.603
V
IOH(dc)
Output Minimum Source DC Current
-13.4
mA
3, 5
IOL(dc)
Output Minimum Sink DC Current
13.4
mA
4, 5
Notes:
1. All other pins not under test = 0 V.
2. DQ, DQS, DQS , RDQS, RDQS are disabled and ODT is turned off.
3. VDDQ = 1.7 V; VOUT = 1.42 V. (VOUT - VDDQ)/IOH
must be less than 21 Ω for values of VOUT between VDDQ and VDDQ -
0.28V.
4. VDDQ = 1.7 V; VOUT = 0.28V. VOUT/IOL
must be less than 21 Ω for values of VOUT between 0 V and 0.28V.
5. The values of IOH(dc) and IOL(dc) are based on the conditions given in Notes 3 and 4. They are used to test drive current
capability to ensure VIHmin plus a noise margin and VILmax minus a noise margin are delivered to an SSTL_18 receiver.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-150CJC | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQCC68 |
| W73B586A-09L | 32K X 18 CACHE SRAM, 9 ns, PQCC52 |
| WS512K32-100G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 80WBGA |
| W972GG8JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS |
| W9751G6IB-25 | 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9751G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
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