參數(shù)資料
型號： MT49H16M18C
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
中文描述： 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二）
文件頁數(shù)： 42/44頁
文件大小： 1117K
代理商： MT49H16M18C
16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
42
Figure 41: Output Test Conditions
Figure 42: Input Waveform
Table 20:
+0°C
≤
T
C
≤
+95°C; +1.7V
≤
V
DD
≤
+1.9V, unless otherwise noted
AC Electrical Characteristics and Operating Conditions
DESCRIPTION
CONDITIONS
Matched Impedance Mode
Matched Impedance Mode
SYMBOL
V
IH
V
IL
MIN
MAX
UNITS
V
V
Input High (Logic 1) Voltage
Input Low (Logic 0) Voltage
V
REF
+ 0.2
V
SS
Q - 0.3
V
DD
Q + 0.3
V
REF
- 0.2
Table 21:
Capacitance
DESCRIPTION
CONDITIONS
T
A
= 25°C; f = 1 MHz
SYMBOL
C
I
C
O
C
CK
MIN
1.5
3.5
2.0
MAX
2.5
5.0
3.0
UNITS
pF
pF
pF
Address/Control Input Capacitance
Input/Output Capacitance (D and Q)
Clock Capacitance
10pF
DQ
50
V
TT
Test point
V
IH
(AC) MIN
V
IL
(AC) MAX
Rise Time:
2 V/ns
Fall Time:
2 V/ns
V
DD
Q
GND
V
SWING
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT49H16M18CFM-xx 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
MT49H32M9C 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
MT49H32M9CFM-xx 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
MT4C1004J 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁面模式動態(tài)RAM)
MT4C4001STG-6 standard or self refresh
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT49H16M18CBM-25 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
MT49H16M18CBM-25 TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX18 RLDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS - Tape and Reel
MT49H16M18CBM-33 IT 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*