參數(shù)資料
型號(hào)： MT49H16M18C
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
中文描述： 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二）
文件頁(yè)數(shù)： 23/44頁(yè)
文件大?。?/td> 1117K
代理商： MT49H16M18C
16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
23
Figure 19: READ Burst: BL = 2, RL = 4, Configuration 1
Figure 20: READ Burst: BL = 4, RL = 4, Configuration 1
NOTE:
A/BAx: Address A of bank
x
RD: READ
D
xy
: Data
y
to bank
x
RC: Row cycle time
RL: READ latency
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ADDR
RC = RL = 4
Q
QKx
QKx#
Q0a
Q1a
Q0b
Q1b Q2a Q2b Q3a
Q3b Q0a
RD
A
BA0
A
BA1
A
BA2
A
BA3
A
BA0
A
BA7
A
BA6
A
BA5
A
BA4
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
DON’T CARE
UNDEFINED
QVLD
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ADDR
RC = RL = 4
Q
QKx
QKx#
Q0a
Q0c
Q0b
Q0d Q1a Q1b
Q1c
Q1d Q0a
RD
A
BA0
A
BA1
A
BA0
A
BA1
A
BA3
NOP
RD
NOP
RD
NOP
RD
NOP
RD
DON’T CARE
UNDEFINED
QVLD
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