參數(shù)資料
型號(hào)： MT49H16M18C
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
中文描述： 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二）
文件頁(yè)數(shù)： 24/44頁(yè)
文件大?。?/td> 1117K
代理商： MT49H16M18C
16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
24
Figure 21: READ Followed by WRITE, BL = 2, RL = 4, WL = 5, Configuration 1
Figure 22: READ followed by WRITE, BL = 4, RL = 4, WL = 5, Configuration 1
NOTE:
A/BAx: Address A of bank
x
WR: WRITE command
D
xy
: Data
y
to bank
x
WL: WRITE latency
RD: READ command
Q
xy
: Data
y
from bank
x
RL: READ latency
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
ADDR
RL = 4
QKx
QKx#
RD
BA
BA
BA
WR
WR
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DON’T CARE
WL = 5
Q
D1a
D2a
D1b
D2b
Q0a
Q0b
D
DK#
DK
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
ADDR
RL = 4
QKx
QKx#
RD
BA
BA
RD
WR
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DON’T CARE
WL = 5
Q
D1a
D1c
D1b
D1d
Q0a
Q0c
Q0b
Q0d
D
BA
Q2a
Q2c
Q2b
DK#
DK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT49H16M18CFM-xx 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
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