參數(shù)資料
型號(hào)： MT49H16M18C
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
中文描述： 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二）
文件頁(yè)數(shù)： 20/44頁(yè)
文件大?。?/td> 1117K
代理商： MT49H16M18C
16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
20
Figure 15: WRITE Followed By READ: BL = 2, RL = 4, WL = 5, Configuration 1
Figure 16: WRITE Followed By READ: BL = 4, RL = 4, WL = 5, Configuration 1
NOTE:
A/BAx: Address A of bank
x
WR: WRITE
D
xy
: Data
y
to bank x
WL: WRITE latency
RD: READ
Qxy: Data
y
from bank
x
RL: READ latency
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ADDR
WL = 5
RL = 4
D
D0a
D0b
WR
BA
BA
BA
NOP
RD
RD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DON’T CARE
QKx
QKx#
Q1a
Q2a
Q1b
Q2b
Q
DK#
DK
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ADDR
WL = 5
RL = 4
D
Q1a
Q1c
Q1b
Q1d
Q3a
Q3b
D0a
D0b
D0c
D0d
WR
BA
BA
BA
NOP
RD
NOP
RD
NOP
NOP
NOP
NOP
DON’T CARE
QKx
QKx#
Q
WR
D2a
D2b
D2c
D2d
Q3c
Q3d
BA
DK#
DK
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PDF描述
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