參數(shù)資料
型號(hào)： OR3LP26B
英文描述： Field-Programmable System Chip (FPSC) Embedded Master/Target PCI Interface
中文描述： 現(xiàn)場(chǎng)可編程系統(tǒng)芯片（促進(jìn)文化基金）嵌入式主/目標(biāo)PCI接口
文件頁(yè)數(shù)： 135/184頁(yè)
文件大?。?/td> 5590K
代理商： OR3LP26B
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Lucent Technologies Inc.
Lucent Technologies Inc.
135
Data Sheet
March 2000
ORCAOR3LP26B FPSC
Embedded Master/Target PCI Interface
Electrical Characteristics
Table 48. Electrical Characteristics
OR3LP26B Commercial: V
DD
= 3.0 V to 3.6 V, V
DD
2 = 2.38 V to 2.63 V, 0 °C
<
T
A
<
70 °C.
* On the Series 3 devices, the pull-up resistor will externally pull the pin to a level 1.0 V below V
DD
.
Parameter
Symbol
Test Conditions
OR3LP26B
Unit
Min
Max
Input Voltage:
High
Low
Input Voltage:
High
Low
Output Voltage:
High
Low
Input Leakage Current
V
IH
V
IL
Input configured as CMOS
(clamped to V
DD
)
50% V
DD
GND – 0.5
V
DD
+ 0.3
30% V
DD
V
V
V
IH
V
IL
Input configured as TTL
(5 V tolerant)
50% V
DD
GND – 0.5
5.8 V
30% V
DD
V
V
V
OH
V
OL
IL
V
DD
= min, I
OH
= 6 mA or 3 mA
V
DD
= min, I
OL
= 12 mA or 6 mA
V
DD
= max, VIN = V
SS
or V
DD
(T
A
= 25 °C, V
DD
= 3.3 V, V
DD
2 = 2.5 V)
internal oscillator running, no output loads,
inputs at V
DD
or G
ND
(after configuration)
(T
A
= 25 °C, V
DD
= 3.3 V, V
DD
2 = 2.5 V)
internal oscillator stopped, no output loads,
inputs at V
DD
or G
ND
(after configuration)
T
A
= 25 °C
Power supply current at approximately
1 V, within a recommended power supply
ramp rate of 1 ms—200 ms
T
A
= 25 °C,
V
DD
= 3.3 V, V
DD
2 = 2.5 V
Test frequency = 1 MHz
T
A
= 25 °C,
V
DD
= 3.3 V, V
DD
2 = 2.5 V
Test frequency = 1 MHz
—
—
V
DD
= 3.6 V,
V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
V
DD
= 3.6 V,
V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
V
DD
= all, V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
V
DD
= all, V
IN
= V
DD
, T
A
= 0 °C
2.4
—
–10
—
0.4
10
V
V
μA
Standby Current
IDDSB
—
TBD
mA
Standby Current
IDDSB
—
TBD
mA
Data Retention Voltage
Powerup Current
VDR
IPP
TBD
TBD
—
—
V
mA
Input Capacitance
CIN
—
8
pF
Output Capacitance
COUT
—
8
pF
DONE Pull-up Resistor*
M[3:0] Pull-up Resistors*
I/O Pad Static Pull-up
Current*
I/O Pad Static
Pull-down Current
I/O Pad Pull-up Resistor*
I/O Pad Pull-down
Resistor
RDONE
RM
IPU
100
100
14.4
—
—
50.9
k
k
μA
IPD
26
103
μA
RPU
RPD
100
50
—
—
k
k
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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