- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384756 > MT49H32M9C (Micron Technology, Inc.) 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT49H32M9C |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| 中文描述： | 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二） |
| 文件頁數(shù)： | 7/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1117K |
| 代理商： | MT49H32M9C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁
16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
7
Figure 3: 16 Meg x 18 Ball Assignment (Top View) 144-Ball FBGA
NOTE:
1. Reserved for future use. This may optionally be connected to GND.
2. Reserved for future use. This signal is internally connected and has parasitic characteristics of an address input signal.
This may optionally be connected to GND.
3. No Function. This signal is internally connected and has parasitic characteristics of a clock input signal.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
EXT
Q0
Q1
11
TMS
D0
D1
12
TCK
V
DD
V
TT
A
B
C
D
V
REF
V
DD
V
TT
(A22)
1
(A21)
2
A5
A8
B2
NF
3
DK
REF#
WE#
A18
A15
V
SS
V
TT
V
DD
V
REF
V
SS
D4
D5
V
EXT
Q4
Q5
V
SS
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
V
SS
Q
V
DD
Q
D6
Q6
V
SS
Q
V
SS
Q
QK0#
QK0
V
SS
E
D7
D8
A6
A9
NF
3
DK#
CS#
A16
D14
D15
QK1
D16
D17
ZQ
Q7
Q8
A7
V
SS
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
V
SS
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
V
SS
Q2
Q3
A2
V
SS
D2
D3
A1
A4
(A20)
2
QVLD
A0
A3
F
G
H
J
V
DD
V
DD
V
SS
A17
Q14
Q15
QK1#
Q16
Q17
V
EXT
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
A12
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
V
EXT
B0
B1
A14
A11
D9
D10
D11
D12
D13
TDO
CK
CK#
A13
A10
A19
DM
V
SS
V
TT
V
DD
TDI
K
L
M
N
P
R
T
U
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H32M9CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT4C1004J | 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁面模式動態(tài)RAM) |
| MT4C4001STG-6 | standard or self refresh |
| MT4C4001STG-7 | standard or self refresh |
| MT4C4001STG-8 | standard or self refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H32M9CFM-25 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H32M9CFM-33 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H32M9CFM-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Tape and Reel |
| MT49H32M9CFM-XX | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H32M9CHU-25 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。