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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H32M9C |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| 中文描述： | 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二） |
| 文件頁數(shù)： | 34/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1117K |
| 代理商： | MT49H32M9C |
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16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
34
Figure 36: WRITE Burst Basic Sequence: BL = 4, with Multiplexed Addresses,
Configuration 1, WL = 6
Figure 37: READ Burst Basic Sequence: BL = 4, with Multiplexed Addresses,
Configuration 1, RL = 5
NOTE:
A
x
/BA
k
: Address A
x
of bank
k
A
y
: Address A
y
of bank
k
WR: WRITE
Djk: Data
k
to bank
j
WL: WRITE latency
Qjk: Data
k
to bank
j
RD: READ
RL: READ Latency
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ADDR
WL = 6
D
D0a
D0c
D0b
D0d
D1a
D1
WR
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
NOP
WR
NOP
WR
NOP
WR
NOP
WR
DKx#
DKx
UNDEFINED
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ADDR
RL = 5
Q
QKx
QKx#
Q0a
Q0c
Q0b
Q0d Q1a Q1b
Q1c
RD
NOP
RD
NOP
RD
NOP
RD
NOP
RD
DON’T CARE
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
QVLD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H32M9CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT4C1004J | 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁面模式動態(tài)RAM) |
| MT4C4001STG-6 | standard or self refresh |
| MT4C4001STG-7 | standard or self refresh |
| MT4C4001STG-8 | standard or self refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H32M9CFM-25 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H32M9CFM-33 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H32M9CFM-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Tape and Reel |
| MT49H32M9CFM-XX | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H32M9CHU-25 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
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