參數(shù)資料
型號： WEDPNF8M721V-1012BC
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA275
封裝： 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-275
文件頁數(shù)： 28/42頁
文件大?。?/td> 686K
代理商： WEDPNF8M721V-1012BC
34
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
WEDPNF8M721V-XBX
NOTES:
1. FPA represents the address of the memory location to be programmed.
2. PD represents the data to be programmed at byte address.
3. FD7 is the output of the complement of the data written to each chip.
4. FDOUT is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates the last two bus cycles of a four bus cycle sequence.
Addresses
FWE
FAx
FDx
FOE
FCS
Data
AAAH
PA
tWC
tWS
PD
D
7
D
OUT
tAH
tCPH
tCP
tDH
tDS
Data
Polling
tAS
tGHEL
A0H
tWHWH1
FIG. 15
FLASH ALTERNATE FCS CONTROLLED
PROGRAMMING OPERATION TIMINGS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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WE128K32-150G1UM 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQFP68
WE128K32-200G1UMA 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68
WS128K32N-85HME 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CPGA66
WSF512K16-72H2I SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CPGA66
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參數(shù)描述
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