參數(shù)資料
型號： STDM110
英文描述： STDM110|Data Sheet
中文描述： STDM110 |數(shù)據(jù)資料
文件頁數(shù)： 665/763頁
文件大小： 2386K
代理商： STDM110
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COMPILED MACROCELLS
Overview
Samsung ASIC
5-2
STDM110
OVERVIEW
OVERVIEW TO COMPILED MEMORY
This section contains the overview of STDM110 compiled memory. In STDM110 compiled memory, we
provide application-specific memory solution - high-density and low-power application. That is, two different
library set of compiled memory are available in STDM110 cell library. One is the high-density compiled
memory, called STDM110-HD compiled memory and the other is the low-power compiled memory, called
STDM110-LP compiled memory. The high-density compiled memories are suitable for high integration
application with high-performance whereas the low-power compiled memories are suitable for portable
applications. These are complete memories that are customized to satisfy the requirements of the circuit at
hand. Depending on the function to be generated, the final memory will be implemented as a stand-alone,
pitch-matched and customized leafcells. In addition, to implement optimized memory, we apply the
state-of-the-art design architecture techniques. In STDM110 cell library, the compiled memory is fully
generated by a user-configurable compiler, called memory compiler. It allows you to configure a memory
through memory-related specification such as word depth, bit per word, column mux type and so on. The
compiler allows you to select and customize any of memory to satisfy the specific circuit requirements.
When the required specifications have been fully given, you may get any or all of the following items:
— Area-optimized and speed-optimized layout blocks
— Schematic netlist for simulation and verification
— Phantom cell to use in chip-level layout
— Tabular model for timing and power characteristics
— Automatic datasheet for a specific instance
For more detailed information regarding to memory compiler, contact your local representative or
headquarters.
COMPILED MEMORY NAMING CONVENTION
The naming convention of compiled memory in this section will be shown as Figure 5-1. The memory name
consists of the following convention.
Figure 5-1. Compiled Memory Naming Convention
The first string, ‘memory_code’, means the name of memory type. In STDM110 compiled memory, the
available memory types are as follows:
[memory_code]_[appl_code]_[opt_code]_[config_code]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STDRJ45 Ethernet Patch Cords with connectors
STE150N10 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 150A I(D)
STE15N100 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D)
STE16N100 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 16A I(D)
STE180N05 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 50V V(BR)DSS | 180A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STDM12000100 制造商:Seagate Technology 功能描述:NAS WITH DRIVEGIG-E 12000 NAS - Trays
STDM4000100 制造商:Seagate Technology 功能描述:NAS WITH DRIVEGIG-E 4000 NAS - Trays
STDM8000100 制造商:Seagate Technology 功能描述:NAS WITH DRIVEGIG-E 8000 NAS - Trays
STDNCA-1.024 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Crystal Oscillator
STDNCA-1.544 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Crystal Oscillator
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