參數(shù)資料
型號： MSC8256TVT1000B
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 19/70頁
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描述： IC DSP 6 CORE 1GHZ 783FCPBGA
標準包裝： 1
系列： StarCore
類型： SC3850 內(nèi)核
接口： 以太網(wǎng)，I²C，PCI，RGMII，串行 RapidIO，SGMII，SPI，UART/USART
時鐘速率： 1.0GHz
非易失內(nèi)存： ROM（96 kB）
芯片上RAM： 576kB
電壓 - 輸入/輸出： 2.50V
電壓 - 核心： 1.00V
工作溫度： -40°C ~ 105°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 783-BBGA，F(xiàn)CBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 783-FCPBGA（29x29）
包裝： 托盤
MSC8256 Six-Core Digital Signal Processor Data Sheet, Rev. 6
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
26
Table 4 describes thermal characteristics of the MSC8256 for the FC-PBGA packages.
2.4
CLKIN Requirements
Table 5 summarizes the required characteristics for the CLKIN signal.
This section describes the DC electrical characteristics for the MSC8256.
2.5.1
DDR SDRAM DC Electrical Characteristics
This section describes the DC electrical specifications for the DDR SDRAM interface of the MSC8256.
Note:
DDR2 SDRAM uses VDDDDR(typ) = 1.8 V and DDR3 SDRAM uses VDDDDR(typ) = 1.5 V.
Table 4. Thermal Characteristics for the MSC8256
Characteristic
Symbol
FC-PBGA
29
× 29 mm2
Unit
Natural
Convection
200 ft/min
(1 m/s) airflow
Junction-to-ambient1, 2
RθJA
18
12
°C/W
Junction-to-ambient, four-layer board1, 2
RθJA
13
9
°C/W
Junction-to-board (bottom)3
RθJB
5
°C/W
Junction-to-case4
RθJC
0.6
°C/W
Notes:
1.
Junction temperature is a function of die size, on-chip power dissipation, package thermal resistance, mounting site (board)
temperature, ambient temperature, air flow, power dissipation of other components on the board, and board thermal
resistance.
2.
Junction-to-ambient thermal resistance determined per JEDEC JESD51-3 and JESDC51-6. Thermal test board meets JEDEC
specification for the specified package.
3.
Junction-to-board thermal resistance determined per JEDEC JESD 51-8. Thermal test board meets JEDEC specification for
the specified package.
4.
Junction-to-case at the top of the package determined using MIL- STD-883 Method 1012.1. The cold plate temperature is used
for the case temperature. Reported value includes the thermal resistance of the interface layer
Table 5. CLKIN Requirements
Parameter/Condition1
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
CLKIN duty cycle
—
40
—
60
%
2
CLKIN slew rate
—
1
—
4
V/ns
3
CLKIN peak period jitter
—
±150
ps
—
CLKIN jitter phase noise at –56 dBc
—
500
KHz
4
AC input swing limits
ΔV
AC
1.5
—
V
—
Input capacitance
CIN
—
15
pf
—
Notes:
1.
For clock frequencies, see the Clock chapter in the MSC8256 Reference Manual.
2.
Measured at the rising edge and/or the falling edge at VDDIO/2.
3.
Slew rate as measured from ±20% to 80% of voltage swing at clock input.
4.
Phase noise is calculated as FFT of TIE jitter.
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PDF描述
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參數(shù)描述
MSC8256TVT800B 功能描述:數(shù)字信號處理器和控制器 - DSP, DSC DSPStarcore 6-core RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:2 KB 最大時鐘頻率:40 MHz 可編程輸入/輸出端數(shù)量:35 定時器數(shù)量:3 設(shè)備每秒兆指令數(shù):50 MIPs 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-44 安裝風格:SMD/SMT
MSC83301 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
MSC83303 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
MSC83305 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
MSC85623 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN RF TRANSISTOR
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