參數(shù)資料
型號： STDL130
英文描述： STDL130|Data Sheet
中文描述： STDL130 |數(shù)據(jù)資料
文件頁數(shù)： 646/812頁
文件大小： 2436K
代理商： STDL130
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Samsung ASIC
5-39
STDL130
SPSRAMR_HDL
Single-Port Synchronous Static RAM with Redundancy
Logic Symbol
Function Description
SPSRAMR_HDL is a repairable single-port synchronous static RAM with bit-write capability which is
provided as a compiler. SPSRAMR_HDL is intended for use in high-capacity applications. Basically, its
functionality is exactly same as SPSRAMBW_HDL. Each bit of BWEN[] enables or disable the write
operation of its corresponding bit in DI[]. On the rising edge of CK, the write cycle is initiated when WEN is
low and CSN is low. The data bytes or bits in DI[], which their corresponding bit(s) in BWEN[] are low, are
written into the memory location specified on A[]. When all bits of BWEN[] are high, any data in DI[] are not
written into the memory location specified on A[]. When all bits of BWEN[] are low, the data in DI[] are
written into the memory location specified on A[], which is exactly same as the write operation in
SPSRAM_HDL. During the write cycle, DOUT[] remains stable. On the rising edge of CK, the read cycle is
initiated when WEN is high and CSN is low. The data at DOUT[] become valid after a delay. While in standby
mode that CSN is high, A[] and DI[] are disabled, data stored in the memory is retained and DOUT[] remains
stable. When OEN is high, DOUT[] is placed in a high-impedance state.
SPSRAMR_HDL Function Table
CK
X
X
↑
↑
↑
↑
CSN
X
H
L
L
L
L
WEN
X
X
L
L
L
H
OEN
H
L
L
L
L
L
A
X
X
BWEN
X
X
all L
L/H
all H
X
DI
X
X
DOUT
Z
DOUT(t-1)
DOUT(t-1)
DOUT(t-1)
DOUT(t-1)
MEM(A)
Comment
Unconditional tri-state output
De-selected (standby mode)
Word-write cycle
Bit-write cycle
No operation
Read cycle
Valid
Valid
Valid
Valid
Valid
Valid
Valid
X
Features
Suitable for high-capacity application
Heuristic row-redundancy available
Bit-write capability
Separated data I/O
Synchronous operation
Duty-free clock cycle
Asynchronous tri-state output control
Latched inputs and outputs
Automatic power-down
Zero standby current
Zero hold time
Low noise output optimization
Flexible aspect ratio
Dual-bank scheme available
64Kbits ~ 1Mbits capacity
2K ~ 32K number of words
8 ~ 128 number of bits per word
NOTES:
1. Words (w) is the number of words.
2. Bpw (b) is the number of bit per word.
3. Ymux (y) is one of the column mux types.
4. Banks(ba) is the number of banks.
5. m =
log
2
w
CK
CSN
WEN
spsramr_hdl_<w>x<b>m<y>b<ba>
DOUT [b-1:0]
OEN
A [m-1:0]
DI [b-1:0]
BWEN[b-1:0]
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