參數資料
型號： STDL130
英文描述： STDL130|Data Sheet
中文描述： STDL130 |數據資料
文件頁數： 609/812頁
文件大小： 2436K
代理商： STDL130
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Characteristics for Timing and Power
COMPILED MEMORY
STDL130
5-2
Samsung ASIC
The second string, ’
appl_code
’, means the specific application to suitably support the compiled memory and
the application code is one of HD(High-Density) and LP(Low-Power). The third string, ’
procs_code
’,
represents the process and the process code is one of Generic process and Low-Power process(L). In case
of Generic process, you don’t have to specify ’
procs_code
’. If there is no process code, it means that the
memory is developed under Generic process. If the process code is set to L, it means that the memory is
under Low-power process. The fourth string, ’
opt_code
’, represents the number of read and write ports for
multi-port memory and the option code is composed of the following convention:
‘opt_code’ = <n>r<m>w
Currently this field is only used for ARFRAM, where n is the total number of read ports (1~2) and m is the
total number of write ports (1~2). The last string, ’
config_code
’, represents the configuration of the memory
to be specified. This configuration code is composed of the following convention:
‘config_code’ = <WORD> x <BPW> m <YMUX> b <BANK>
Where, WORD is the word depth, BPW is bit per word, YMUX is the available column mux type and BANK
is the number of bank used. For example, ’spsram_hdl_1024x32m16b2’ refers to a High-Density single-port
synchronous SRAM with 1024 words, 32 bits, 16 column mux and 2 bank under Generic process. Second,
’arfram_hdl_1r2w_32x32m2’ refers to a High-Density three-port (1 read/2 write) asynchronous register file
with 32 word, 32 bits and 2 column mux under Generic process. ’spsram_lpl_1024x32m16’ refers to a
Low-Power single-port synchronous SRAM with 1024 words, 32 bits 16 column mux under Low-power
process.
CHARACTERISTICS FOR TIMING AND POWER
STDL130 compiled memories are fully optimized for 1.8V
±
0.15V supply voltage. Compiled memory in this
section has been characterized using typical-process at 25 degree and 1.8V supply. The worst-case and
best-case parameters can be found by using the derating factor calculated from the following equation:
t
WC
(t
BC
) = K
P_local
×
K
V_local
×
K
T_local
×
t
NOM
Where,
t
WC
is a worst-case propagation delay
t
BC
is a best-case propagation delay
t
NOM
is a typical-case propagation delay characterized under typical-process, 25 degree and 1.8V supply
K
P_local
is a local process derating factor corresponding to each memory type.
K
V_local
is a local voltage derating factor corresponding to each memory type.
K
T_local
is a local temperature derating factor that varies by memory type.
Note that
K
P_local
,
K
V_local
and
K
T_local
are only used in compiled memories.
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