參數(shù)資料
型號： STDL130
英文描述： STDL130|Data Sheet
中文描述： STDL130 |數(shù)據(jù)資料
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代理商： STDL130
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COMPILED MEMORY
Overview
Samsung ASIC
5-1
STDL130
OVERVIEW
This section is an overview of the STDL130 compiled memory. In STDL130 compiled memories provide
application-specific memory solution high-density and low-power application. That is, two different compiled
memory libraries are available in STDL130:
STDL130-HD(High-Density) and STDL130-LP(Low-Power)
.
The high-density compiled memories are suitable for high integration application. The low-power compiled
memories are suitable for portable applications. Each of these memory types may be customized to satisfy
the specific circuit requirements. Each memory uses state-of-the-art design architecture techniques. The
final memory block is implemented as stand-alone, pitch-matched and customized leafcells. The compiled
memory is fully generated by a user-configurable compiler, called memory compiler.
The user defines the memory related specifications such as word depth, bit per word, and column mux type.
The compiler then produces any or all of the following items:
— Complete functional model for simulation
— Tabular model for timing and power characteristics
— Automatic generated datasheet including all information for specific memory configuration
— Full GDS and schematic netlist for layout verification
— Phantom cell to use in chip-level floor planning and layout
Additional information about memory compilers can be obtained from your local Samsung Technology and
Design Centers.
COMPILED MEMORY NAMING CONVENTION
In this chapter, we describe the naming convention of memory. The memory name, Figure 5-1 consists of
the following convention.
Figure 5-1. Compiled Memory Naming Convention
The first string, ‘
memory_code
’, means the name of memory type. In STDL130 compiled memory, the
available memory types are as follows:
SPSRAMR
DPSRAM
DPSRAMBW : Dual-Port Synchronous SRAM with Bit-Write
SPARAM
: Single-Port Asynchronous SRAM
SPARAMBW : Single-Port Asynchronous SRAM with Bit-Write
DROM
: Synchronous Diffusion-Programmable ROM
MROM
: Synchronous Metal2-Programmable ROM
ARFRAM
: Multi-Port Asynchronous Register File
FIFO
: Synchronous First-In First-Out Memory
CAM
: Synchronous Content Addressable Memory
SPSRAM
SPSRAMBW : Single-Port Synchronous SRAM with Bit-Write
: Single-Port Synchronous SRAM with Redundancy
: Dual-Port Synchronous SRAM
: Single-Port Synchronous SRAM
‘memory_name’:= [memory_code]_[appl_code]_[procs_code]_[opt_code]_[config_code]
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