參數(shù)資料
型號(hào)： MT49H32M9CFM-xx
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
中文描述： 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二）
文件頁(yè)數(shù)： 34/44頁(yè)
文件大小： 1117K
代理商： MT49H32M9CFM-XX
16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
34
Figure 36: WRITE Burst Basic Sequence: BL = 4, with Multiplexed Addresses,
Configuration 1, WL = 6
Figure 37: READ Burst Basic Sequence: BL = 4, with Multiplexed Addresses,
Configuration 1, RL = 5
NOTE:
A
x
/BA
k
: Address A
x
of bank
k
A
y
: Address A
y
of bank
k
WR: WRITE
Djk: Data
k
to bank
j
WL: WRITE latency
Qjk: Data
k
to bank
j
RD: READ
RL: READ Latency
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ADDR
WL = 6
D
D0a
D0c
D0b
D0d
D1a
D1
WR
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
NOP
WR
NOP
WR
NOP
WR
NOP
WR
DKx#
DKx
UNDEFINED
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ADDR
RL = 5
Q
QKx
QKx#
Q0a
Q0c
Q0b
Q0d Q1a Q1b
Q1c
RD
NOP
RD
NOP
RD
NOP
RD
NOP
RD
DON’T CARE
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
QVLD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT4C1004J 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁(yè)面模式動(dòng)態(tài)RAM)
MT4C4001STG-6 standard or self refresh
MT4C4001STG-7 standard or self refresh
MT4C4001STG-8 standard or self refresh
MT4C4001JDJ-6 standard or self refresh
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT49H32M9CHU-25 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays
MT49H32M9CHU-33 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays
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