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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H32M9CFM-xx |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| 中文描述： | 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二） |
| 文件頁數(shù)： | 24/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1117K |
| 代理商： | MT49H32M9CFM-XX |
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16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
24
Figure 21: READ Followed by WRITE, BL = 2, RL = 4, WL = 5, Configuration 1
Figure 22: READ followed by WRITE, BL = 4, RL = 4, WL = 5, Configuration 1
NOTE:
A/BAx: Address A of bank
x
WR: WRITE command
D
xy
: Data
y
to bank
x
WL: WRITE latency
RD: READ command
Q
xy
: Data
y
from bank
x
RL: READ latency
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
ADDR
RL = 4
QKx
QKx#
RD
BA
BA
BA
WR
WR
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DON’T CARE
WL = 5
Q
D1a
D2a
D1b
D2b
Q0a
Q0b
D
DK#
DK
CK#
CK
CMD
0
1
2
3
4
5
6
7
ADDR
RL = 4
QKx
QKx#
RD
BA
BA
RD
WR
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DON’T CARE
WL = 5
Q
D1a
D1c
D1b
D1d
Q0a
Q0c
Q0b
Q0d
D
BA
Q2a
Q2c
Q2b
DK#
DK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1004J | 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁面模式動態(tài)RAM) |
| MT4C4001STG-6 | standard or self refresh |
| MT4C4001STG-7 | standard or self refresh |
| MT4C4001STG-8 | standard or self refresh |
| MT4C4001JDJ-6 | standard or self refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H32M9CHU-25 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H32M9CHU-33 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays |
| MT49H32M9CHU-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays |
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