參數(shù)資料
型號(hào)： MT49H32M9CFM-xx
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
中文描述： 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二）
文件頁數(shù)： 22/44頁
文件大?。?/td> 1117K
代理商： MT49H32M9CFM-XX
16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
22
Figure 18: Basic READ Burst Timing
Timing Parameters
NOTE:
1. Minimum data valid window can be expressed as MIN (
t
QKH,
t
QKL) - 2 x
t
QKQx (MAX).
2.
t
QKQ0 is referenced to Q0–Q8 in x18.
t
QKQ1 is referenced to Q9–Q17 in x18.
3.
t
QKQ takes into account the skew between any QKx and any Q.
UNDEFINED
t
QKVLD
t
QKVLD
t
QKQ
Note 1
t
QKQ
t
QKQ
t
CKQK
QVLD
Q
CK#
CK
QKx
QKx#
t
CKH
t
CKL
t
CK
Q0
Q1
Q2
Q3
t
QKL
t
QKH
SYMBOL
-25
-33
-5
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
CKQK
t
QKQ
2.5
5.7
3.3
5.7
5.0
5.7
ns
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
t
CK
ns
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
-0.25
0.25
-0.3
0.3
-0.5
0.5
-0.3
0.3
-0.35
0.35
-0.4
0.4
ns
t
QKQ0,
t
QKQ1
t
QKVLD
t
QKH
t
QKL
-0.2
0.2
-0.25
0.25
-0.3
0.3
ns
-0.3
0.3
-0.35
0.35
-0.4
0.4
ns
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
t
CKH
t
CKL
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
SYMBOL
-25
-33
-5
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT4C1004J 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁面模式動(dòng)態(tài)RAM)
MT4C4001STG-6 standard or self refresh
MT4C4001STG-7 standard or self refresh
MT4C4001STG-8 standard or self refresh
MT4C4001JDJ-6 standard or self refresh
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT49H32M9CHU-25 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays
MT49H32M9CHU-33 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays
MT49H32M9CHU-5 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays
MT49H32M9FM-25 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
MT49H32M9FM-25 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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