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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT48V16M16LFFG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | MOBILE SDRAM |
| 中文描述： | 移動(dòng)SDRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 56/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1451K |
| 代理商： | MT48V16M16LFFG |
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56
256Mb: x16 Mobile SDRAM
MobileRamY26L_A.p65 – Pub. 5/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
256Mb: x16
MOBILE SDRAM
ADVANCE
WRITE – DQM OPERATION
1
tCH
tCL
tCK
tRCD
DQM/
DQML, DQMU
CKE
CLK
A0-A9, A11, A12
DQ
BA0, BA1
A10
tCMS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
ENABLE AUTO PRECHARGE
D
IN
m
+ 3
tDH
tDS
D
IN
m
D
IN
m
+ 2
tCMH
COMMAND
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
DON’T CARE
tCMS
tCMH
tDH
tDS
tDH
tDS
tAH
tAS
tAH
tAS
DISABLE AUTO PRECHARGE
tCKH
tCKS
COLUMN
m
2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4.
2. x16: A9, A11 and A12 = “Don’t Care”
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CKH
t
CKS
t
CMH
t
CMS
t
DH
t
DS
t
RCD
MIN
1
2.5
1
2.5
1
2.5
20
MAX
MIN
1
2.5
1
2.5
1
2.5
20
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
MIN
1
2.5
3
3
8
10
20
MAX
MIN
1
2.5
3
3
10
12
25
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H16M16LFFG | MOBILE SDRAM |
| MT49H16M18C | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H16M18CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H32M9C | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H32M9CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V16M32L2B5-8 IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray |
| MT48V16M32L2F5-8 IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray |
| MT48V32M16S2FG-10 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX16 SSDRAM PLASTIC 2BOC 2.5V - Trays |
| MT48V32M16S2FG-8 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP MOBILE SDRAM 512MBIT 2.5V 54FBGA - Bulk |
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