- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384756 > MT48V16M16LFFG (Micron Technology, Inc.) MOBILE SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT48V16M16LFFG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | MOBILE SDRAM |
| 中文描述： | 移動SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 45/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1451K |
| 代理商： | MT48V16M16LFFG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁當前第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁
45
256Mb: x16 Mobile SDRAM
MobileRamY26L_A.p65 – Pub. 5/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
256Mb: x16
MOBILE SDRAM
ADVANCE
ALL BANKS
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRC
tRCD
CAS Latency
tOH
D
OUT
m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
ROW
BANK
BANK(S)
BANK
ROW
ROW
BANK
tHZ
tCMH
tCMS
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
ACTIVE
NOP
READ
ACTIVE
NOP
DISABLE AUTO PRECHARGE
SINGLE BANKS
DON’T CARE
UNDEFINED
COLUMN
m
3
tCKH
tCKS
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DQM /
DQML, DQMU
CKE
CLK
A0-A9, A11,A12
DQ
BA0, BA1
A10
COMMAND
2
2
SINGLE READ – WITHOUT AUTO PRECHARGE
1
NOTE:
1. For this example, the burst length = 1, the CAS latency = 2, and the READ burst is followed by a “manual”
PRECHARGE.
2. PRECHARGE command not allowed else
t
RAS would be violated.
3. x16: A9, A11 and A12 = “Don’t Care”
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CMH
t
CMS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
MIN
1
2.5
MAX
MIN
1
2.5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
8
19
7
8
22
1
1
2.5
48
80
20
20
2.5
50
100
20
20
120,000
120,000
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
t
CKS
MIN
MAX
7
8
19
MIN
MAX
7
8
22
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2.5
3
3
8
10
20
1
2.5
2.5
3
3
10
12
25
1
2.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H16M16LFFG | MOBILE SDRAM |
| MT49H16M18C | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H16M18CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H32M9C | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H32M9CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V16M32L2B5-8 IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray |
| MT48V16M32L2F5-8 IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray |
| MT48V32M16S2FG-10 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX16 SSDRAM PLASTIC 2BOC 2.5V - Trays |
| MT48V32M16S2FG-8 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP MOBILE SDRAM 512MBIT 2.5V 54FBGA - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。