參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512160AF
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 34/117頁(yè)
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512160AF
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
34
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
3.10
Extended Mode Register EMR(2)
The Extended Mode Registers EMR(2) and EMR(3)
are reserved for future use and must be programmed
when setting the mode register during initialization.The
extended mode register EMR(2) is written by asserting
LOW on CS, RAS, CAS, WE, BA0 and HIGH on BA1,
while controlling the states of the address pins. The
DDR2 SDRAM should be in all bank precharge with
CKE already high prior to writing into the extended
mode register. The mode register set command cycle
time (
t
MRD
) must be satisfied to complete the write
operation to the EMR(2). Mode register contents can
be changed using the same command and clock cycle
requirements during normal operation as long as all
banks are in precharge state.
Table 11
Field
BA2
EMRS(2) Programming Extended Mode register Definition (BA[2:0]=010
B
)
Type
1)
Description
reg.addr
Bank Address[2]
Note:BA2 is not available on 256Mbit and 512Mbit components
Bits
16
1) w = write only
0
B
Bank Adress[1]
1
B
BA1
, Bank Address
Bank Adress[0]
0
B
BA0
, Bank Address
Address Bus[13:0]
Note:A13 is not available for 256 Mbit and x16 512 Mbit configuration
BA2
, Bank Address
BA1
15
BA0
14
A
[13:0]
w
0
B
A[13:0]
, Address bits
-0"4
"! " ! " ! !
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!
REG ADDR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512160AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
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