參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512160AF
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 101/117頁(yè)
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512160AF
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Data Sheet
101
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Electrical Characteristics
Table 54
Parameter
Timing Parameter by Speed Grade - DDR2-400B & DDR2-533C
Symbol
DDR2–533C
Min.
DDR2–400B
Min.
Unit Note
1)2)3)4)5)
6)
Max.
Max.
DQ output access time from CK /
CK
CAS A to CAS B command period
t
CCD
CK, CK high-level width
CKE minimum high and low pulse
width
CK, CK low-level width
Auto-Precharge write recovery +
precharge time
Minimum time clocks remain ON
after CKE asynchronously drops
LOW
DQ and DM input hold time
(differential data strobe)
DQ and DM input hold time (single
ended data strobe)
DQ and DM input pulse width (each
input)
DQS output access time from CK /
CK
DQS input low (high) pulse width
(write cycle)
DQS-DQ skew (for DQS &
associated DQ signals)
Write command to 1st DQS
latching transition
DQ and DM input setup time
(differential data strobe)
DQ and DM input setup time
(single ended data strobe)
DQS falling edge hold time from
CK (write cycle)
DQS falling edge to CK setup time
(write cycle)
Clock half period
Data-out high-impedance time
from CK / CK
Address and control input hold time
t
IH
(base)
Address and control input pulse
width
(each input)
t
AC
–500
+500
–600
+
600
ps
2
0.45
3
—
0.55
—
2
0.45
3
—
0.55
—
t
CK
t
CK
t
CK
t
CH
t
CKE
t
CL
t
DAL
0.45
WR +
t
RP
0.55
—
0.45
WR +
t
RP
0.55
—
t
CK
t
CK
7)
t
DELAY
t
IS
+
t
CK
+
t
IH
––
t
IS
+
t
CK
+
t
IH
—
ns
8)
t
DH
(base)
225
––
275
––
ps
9)
t
DH1
(base) –25
—
25
—
ps
9)
t
DIPW
0.35
—
0.35
—
t
CK
t
DQSCK
–450
+
450
–500
+
500
ps
t
DQSL,H
0.35
—
0.35
—
t
CK
t
DQSQ
—
300
—
350
ps
10)
t
DQSS
WL – 0.25
WL + 0.25
WL – 0.25
WL + 0.25
t
CK
t
DS
(base)
100
—
150
—
ps
9)
t
DS1
(base) –25
—
25
—
ps
9)
t
DSH
0.2
—
0.2
—
t
CK
t
DSS
0.2
—
0.2
—
t
CK
t
HP
t
HZ
MIN. (
t
CL,
t
CH
)
—
MIN. (
t
CL,
t
CH
)
—
11)
t
AC.MAX
t
AC.MAX
ps
12)
375
0.6
—
—
475
0.6
—
—
ps
t
CK
9)
t
IPW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512160AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
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參數(shù)描述
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
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