參數(shù)資料
型號： SI9925
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 272K
代理商： SI9925
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 20 July 2001
8 of 13
9397 750 08415
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 5 A; V
DD
= 6 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ag11
0
10
20
30
40
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25 oC
150 oC
V
GS
= 0 V
03ag13
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 5 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 6 V
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PDF描述
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SI9926ADY-E3 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R
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