參數(shù)資料
型號： SI9925
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 272K
代理商： SI9925
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 20 July 2001
Product data
c
c
M3D315
1.
Description
Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
Si9925DY in SOT96-1 (SO8).
2.
Features
I
Low on-state resistance
I
Fast switching
I
TrenchMOS technology.
3.
Applications
I
DC to DC convertors
I
DC motor control
I
Lithium-ion battery applications
I
Notebook PC
I
Portable equipment applications.
4.
Pinning information
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT96-1, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
source 1 (s
1
)
SOT96-1 (SO8)
2
gate 1 (g
1
)
3
source 2 (s
2
)
4
gate 2 (g
2
)
5,6
drain 2 (d
2
)
7,8
drain 1 (d
1
)
1
2
3
4
5
6
7
8
pin 1 index
03ab52
g1
d1
s1
d2
g2
s2
03ab58
相關PDF資料
PDF描述
SI9925DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SI9947DY Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SIDAC silicon bilateral voltage triggered switch
SIM-080CYU LED DOT MATRIX MODULE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI9926ADY-E3 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R
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