參數資料
型號： SI9925
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數： 3/13頁
文件大?。?/td> 272K
代理商： SI9925
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 20 July 2001
3 of 13
9397 750 08415
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
amb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa11
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
amb
(
o
C)
P
der
(%)
03aa19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
amb
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ag07
10
-2
10
1
10
10
2
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
tp = 10 μs
10 s
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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