參數(shù)資料
型號(hào)： SI9925
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大小： 272K
代理商： SI9925
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 20 July 2001
2 of 13
9397 750 08415
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
5.
Quick reference data
6.
Limiting values
Table 2:
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s
Typ
38
41
50
62
Max
20
5
2
150
45
50
60
80
Unit
V
A
W
°
C
m
m
m
m
V
GS
= 7.2 V; I
D
= 5 A
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 5 A
V
GS
= 3 V; I
D
= 3.9 A
V
GS
= 2.5 V; I
D
= 1 A
Table 3:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
Min
55
55
Max
20
±
12
5
4
48
2
1.3
+150
+150
Unit
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s;
Figure 2
and
3
T
amb
= 70
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s;
Figure 2
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s;
Figure 1
T
amb
= 70
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s;
Figure 1
I
DM
P
tot
peak drain current
total power dissipation
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
storage temperature
operating junction temperature
T
amb
= 25
°
C
1.3
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9925DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SI9947DY Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SIDAC silicon bilateral voltage triggered switch
SIM-080CYU LED DOT MATRIX MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9925DY 功能描述:MOSFET 20V 5A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9925DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:380942
SI9926ADY 功能描述:MOSFET NCH DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926ADY-E3 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R
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