參數(shù)資料
型號(hào)： SI9925
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大小： 272K
代理商： SI9925
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 20 July 2001
7 of 13
9397 750 08415
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 250
μ
A; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
o
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
(V)
max
typ
min
03ag12
102
103
104
10-1
10
102
V
DS
(V)
C
iss
C
oss
C
rss
(pF)
C
iss
C
oss
C
rss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9925DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SI9947DY Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SIDAC silicon bilateral voltage triggered switch
SIM-080CYU LED DOT MATRIX MODULE
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參數(shù)描述
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SI9925DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:380942
SI9926ADY 功能描述:MOSFET NCH DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926ADY-E3 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R
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