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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI9925 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | SI9925 |
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Philips Electronics N.V. 2001.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 20 July 2001
Document order number: 9397 750 08415
Contents
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
1
2
3
4
5
6
7
7.1
8
9
10
11
12
13
Description
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance. . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Data sheet status
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Definitions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimers
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI9925DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SI9947DY | Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| SI9956DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SIDAC | silicon bilateral voltage triggered switch |
| SIM-080CYU | LED DOT MATRIX MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI9925DY | 功能描述:MOSFET 20V 5A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9925DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:380942 |
| SI9926ADY | 功能描述:MOSFET NCH DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9926ADY-E3 | 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9926ADY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R |
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