型號: | SI9925 |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
英文描述: | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
中文描述: | N溝道增強型場效應管 |
文件頁數(shù): | 4/13頁 |
文件大?。?/td> | 272K |
代理商: | SI9925 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SI9925DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
SI9947DY | Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
SI9956DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
SIDAC | silicon bilateral voltage triggered switch |
SIM-080CYU | LED DOT MATRIX MODULE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI9925DY | 功能描述:MOSFET 20V 5A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI9925DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:380942 |
SI9926ADY | 功能描述:MOSFET NCH DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI9926ADY-E3 | 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI9926ADY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R |