參數(shù)資料
型號： NAND02GW4B2CZA1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁數(shù)： 59/60頁
文件大?。?/td> 1335K
代理商： NAND02GW4B2CZA1E
Description
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
Figure 1.
Logic block diagram
Table 2.
Product description
Reference
Part number
Density
Bus
width
Page
size
Block
size
Memory
array
Operating
voltage
Timings
Package
Random
access
time
(max)
Sequential
access
time
(min)
Page
Progra
m time
(typ)
Bloc
k
erase
(typ)
NAND01G
-B2B
NAND01GR3B2B
1Gbit
x8
2048
+64
bytes
128K
+4K
bytes
64
pages x
1024
blocks
1.7 to
1.95 V
25 s
50 ns
200 s
2ms
VFBGA63
9x11 mm
NAND01GW3B2B
2.7 to
3.6 V
25 s
30 ns
TSOP48
NAND01GR4B2B
x16
1024
+32
words
64K+
2K
words
1.7 to
1.95 V
25 s
50 ns
(1)
NAND01GW4B2B
2.7 to
3.6 V
25 s
30 ns
NAND02G
-B2C
NAND02GR3B2C
2Gbits
x8
2048
+64
bytes
128K
+4K
bytes
64
pages x
2048
blocks
1.7 to
1.95 V
25 s
50 ns
2ms
VFBGA63
9.5 x 12 m
m
NAND02GW3B2C
2.7 to
3.6 V
25 s
30 ns
TSOP48
NAND02GR4B2C
x16
1024
+32
words
64K+
2K
words
1.7 to
1.95 V
25 s
50 ns
NAND02GW4B2C
2.7 to
3.6 V
25 s
30 ns
1.
x16 organization only available for MCP.
Address
register/counter
Command
interface
logic
P/E/R controller,
high voltage
generator
WP
I/O buffers & latches
I/O8-I/O15, x16
E
W
AI12799
R
Y decoder
Page buffer
NAND flash
memory array
X
decoder
I/O0-I/O7, x8/x16
Command register
CL
AL
Cache register
RB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND16GW3B4DN6E 4G X 4 FLASH 3V PROM, 25 ns, PDSO48
NAND512R4A2CZD6E 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA55
NB2762ASNR2G HF - EMI REDUCER; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NB2762ASNR2 EMI REDUCER SERIES; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NC7SB121P5X 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND04GR3B2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND04GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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