參數(shù)資料
型號(hào)： NAND02GW4B2CZA1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 39/60頁(yè)
文件大?。?/td> 1335K
代理商： NAND02GW4B2CZA1E
DC and AC parameters
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
Table 24.
AC characteristics for command, address, data input
Symbol
Alt.
symbol
Parameter
1.8 V
devices
3 V
devices
Unit
tALLWH
tALS
Address Latch Low to Write Enable High
AL setup time
Min
25
15
ns
tALHWH
Address Latch High to Write Enable High
tCLHWH
tCLS
Command Latch High to Write Enable
High
CL setup time
Min
25
15
ns
tCLLWH
Command Latch Low to Write Enable
High
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Data setup time
Min
20
15
ns
tELWH
tCS
Chip Enable Low to Write Enable High
E setup time
Min
35
20
ns
tWHALH
tALH
Write Enable High to Address Latch High
AL hold time
Min
10
5
ns
tWHALL
Write Enable High to Address Latch Low
AL hold time
Min
tWHCLH
tCLH
Write Enable High to Command Latch
High
CL hold time
Min
10
5
ns
tWHCLL
Write Enable High to Command Latch
Low
tWHDX
tDH
Write Enable High to Data Transition
Data hold time
Min
10
5
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
E hold time
Min
10
5
ns
tWHWL
tWH
Write Enable High to Write Enable Low
W High hold time Min
15
10
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
W pulse width
Min
25
15
ns
tWLWL
tWC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write cycle time
Min
45
30
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND16GW3B4DN6E 4G X 4 FLASH 3V PROM, 25 ns, PDSO48
NAND512R4A2CZD6E 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA55
NB2762ASNR2G HF - EMI REDUCER; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NB2762ASNR2 EMI REDUCER SERIES; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NC7SB121P5X 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND04GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040
NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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