參數(shù)資料
型號： NAND16GW3B4DN6E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 4G X 4 FLASH 3V PROM, 25 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 1/17頁
文件大?。?/td> 399K
代理商： NAND16GW3B4DN6E
Preliminary Data
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June 2008
Rev 2
1
NAND16GW3B4D
16-Gbit (4 x 4 Gbits), two Chip Enable, 2112-byte page,
3 V supply, single level, multiplane, NAND flash memory
Features
■
High-density NAND flash memory
– 16 Gbits of memory array
– 512 Mbits of spare area
– Cost-effective solutions for mass storage
applications
■
NAND interface
– x8 bus width
– Multiplexed address/data
■
Supply voltage: VDD = 2.7 to 3.6 V
■
Page size: (2048 + 64 spare) bytes
■
Block size: (128 K + 4 K spare) bytes
■
Multiplane architecture
– Array split into two independent planes
– All operations can be performed on both
planes simultaneously
■
Memory cell array:
– (2 K + 64) bytes x 64 pages x 16384 blocks
(4 dice x 4 Gbits, 2 Chip Enable)
■
page read/program
– Random access: 25 s (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program operation time: 200 s (typ)
■
Multipage program time (2 pages): 200 s (typ)
■
Copy-back program with automatic error
detection code (EDC)
■
Fast block erase
– Block erase time: 1.5 ms (typ)
■
Multiblock erase time (2 blocks): 1.5 ms (typ)
■
Status register
■
Electronic signature
■
Serial number option
■
Chip enable ‘don’t care’
■
Data protection
– Hardware program/erase locked during
power transitions
■
Development tools
– Error correction code models
– Bad block management and wear leveling
algorithm
– HW simulation models
■
Data integrity
– 100,000 program/erase cycles (with ECC)
– 10 years data retention
■
ECOPACK packages available
TSOP48 12 x 20 mm (N)
相關PDF資料
PDF描述
NAND512R4A2CZD6E 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA55
NB2762ASNR2G HF - EMI REDUCER; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NB2762ASNR2 EMI REDUCER SERIES; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NC7SB121P5X 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO5
NCC2222AUB 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NAND16GW3B6DPA6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND16GW3B6DPA6F 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND16GW3D2BN6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT MLC 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND16GW3F2AN6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT SLC 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND16GW3F2AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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