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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND16GW3B4DN6E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4G X 4 FLASH 3V PROM, 25 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/17頁(yè) |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | NAND16GW3B4DN6E |
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Maximum ratings
NAND16GW3B4D
4
Maximum ratings
Stressing the device above the ratings listed in Table 4: Absolute maximum ratings may
cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operating sections of
this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Table 4.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
Min
Max
TBIAS
Temperature under bias
– 50
125
°C
TSTG
Storage temperature
– 65
150
°C
VIO
(1)
1.
Minimum voltage may undershoot to –2 V for less than 20 ns during transitions on input and I/O pins.
Maximum voltage may overshoot to VDD + 2 V for less than 20 ns during transitions on I/O pins.
Input or output voltage
– 0.6
4.6
V
VDD
Supply voltage
– 0.6
4.6
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CZD6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA55 |
| NB2762ASNR2G | HF - EMI REDUCER; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500 |
| NB2762ASNR2 | EMI REDUCER SERIES; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500 |
| NC7SB121P5X | 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO5 |
| NCC2222AUB | 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND16GW3B6DPA6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND16GW3B6DPA6F | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND16GW3D2BN6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT MLC 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND16GW3F2AN6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT SLC 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND16GW3F2AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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