參數(shù)資料
型號(hào)： NAND02GW4B2CZA1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 27/60頁(yè)
文件大?。?/td> 1335K
代理商： NAND02GW4B2CZA1E
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
Device operations
33/60
Table 16.
Electronic signature byte/word 4
I/O
Definition
Value
Description
I/O1-I/O0
Page size
(without spare area)
0 0
0 1
1 0
1 1
1Kbyte
2Kbytes
Reserved
I/O2
Spare area size
(byte / 512-byte)
0
1
8
16
I/O7, I/O3
Minimum sequential
access time
0 0
0 1
1 0
1 1
50 ns
30 ns
25 ns
Reserved
I/O5-I/O4
Block size
(without spare area)
0 0
0 1
1 0
1 1
64 Kbytes
128 Kbytes
256 Kbytes
Reserved
I/O6
Organization
0
1
X8
X16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND16GW3B4DN6E 4G X 4 FLASH 3V PROM, 25 ns, PDSO48
NAND512R4A2CZD6E 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA55
NB2762ASNR2G HF - EMI REDUCER; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NB2762ASNR2 EMI REDUCER SERIES; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NC7SB121P5X 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND04GR3B2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND04GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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