參數(shù)資料
型號： NAND02GW4B2CZA1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁數(shù)： 30/60頁
文件大?。?/td> 1335K
代理商： NAND02GW4B2CZA1E
Software algorithms
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
Figure 15.
Bad block management flowchart
Figure 16.
Garbage collection
Table 17.
NAND flash failure modes
Operation
Procedure
Erase
Block replacement
Program
Block replacement or ECC
Read
ECC
AI07588C
START
END
NO
YES
NO
Block Address =
Block 0
Data
= FFh?
Last
block?
Increment
Block Address
Update
Bad Block table
Valid
page
Invalid
page
Free
page
(erased)
Old area
AI07599B
New area (after GC)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND16GW3B4DN6E 4G X 4 FLASH 3V PROM, 25 ns, PDSO48
NAND512R4A2CZD6E 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA55
NB2762ASNR2G HF - EMI REDUCER; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NB2762ASNR2 EMI REDUCER SERIES; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NC7SB121P5X 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND04GR3B2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND04GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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