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參數(shù)資料
| 型號： | MPC5125YVN400 |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 32/94頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 32BIT E300 324TEPBGA |
| 標準包裝： | 60 |
| 系列： | MPC51xx |
| 核心處理器： | e300 |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 連通性： | CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，USB OTG |
| 外圍設(shè)備： | DMA，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 64 |
| 程序存儲器類型： | ROMless |
| RAM 容量： | 32K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.08 V ~ 3.6 V |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 封裝/外殼： | 324-BBGA |
| 包裝： | 托盤 |
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MPC5125 Microcontroller Data Sheet, Rev. 4
Electrical and Thermal Characteristics
Freescale Semiconductor
38
4.1.3
DC Electrical Specifications
Table 6 gives the DC electrical characteristics for the MPC5125 at recommended operating conditions.
Supply voltage — standard I/O buffers
VDD_IO
3.0
3.3
3.6
V
D2.3
Supply voltage — memory I/O buffers
(DDR)
VDD_IO_MEM_DDR
2.3
2.5
2.7
V
D2.4
Supply voltage — memory I/O buffers
(DDR2, LPDDR, Mobile SDR)
VDD_IO_MEM_DDR2
VDD_IO_MEM_LPDDR
1.7
1.8
1.9
V
D2.5
Supply voltage — memory I/O buffers
(SDR)
VDD_IO_MEM_SDR
3.0
3.3
3.6
V
D2.19
Input reference voltage (DDR/DDR2)
MVREF
0.49 ×
VDD_IO_MEM
0.50
VDD_IO_MEM
0.51
VDD_IO_MEM
VD2.6
Termination voltage (DDR2)
MVTT
MVREF – 0.04
MVREF
MVREF + 0.04
VD2.7
Supply voltage — system APLL
AVDD_SPLL
3.0
3.3
3.6
V
D2.8
Supply voltage — system oscillator
and temperature sensor
AVDD_OSC_TMPS
3.0
3.3
3.6
V
D2.9
Supply voltage — e300 APLL
AVDD_CPLL
3.0
3.3
3.6
V
D2.10
Supply voltage — RTC (hibernation)
VBAT
3
3.0
3.3
3.6
V
D2.11
Supply voltage — FUSE programming
AVDD_FUSEWR
3.0
3.3
3.6
V
D2.12
Input voltage — standard I/O buffers
Vin
0—
VDD_IO
V
D2.14
Input voltage — memory I/O buffers
(DDR)
Vin_DDR
0
—
VDD_IO_
MEM_DDR
V
D2.15
Input voltage — memory I/O buffers
(DDR2)
Vin_DDR2
0
—
VDD_IO_
MEM_DDR2
V
D2.16
Input voltage — memory I/O buffers
(SDR)
Vin_SDR
0
—
VDD_IO_
MEM_SDR
V
D2.20
Input voltage — memory I/O buffers
(LPDDR)
Vin_LPDDR
0
—
VDD_IO_
MEM_LPDDR
V
D2.18
Ambient operating temperature range
TA
–40
—
+85
oC
D2.17
NOTES:
1 These are recommended and tested operating conditions. Proper device operation outside these conditions is not guaranteed.
2 The State Retention voltage can be applied to VDD after the device is placed in deep-sleep mode.
3 VBAT should not be supplied by a battery of voltage less than 3.0 V.
Table 6. DC Electrical Specifications
Characteristic
Condition
Sym
Min
Max
Unit SpecID
Input high voltage
Input type = TTL VDD_IO
VIH
0.51
V
DD_IO
—V
D3.1
Input high voltage
Input type = TTL
VDD_IO_MEM_DDR
VIH
MVREF + 0.15
—
V
D3.2
Table 5. Recommended Operating Conditions (continued)
Characteristic
Sym
Min1
Typ
Max1
Unit
SpecID
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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