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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58MR064D100ZC6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 39/52頁 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | M58MR064D100ZC6T |
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M58MR064C, M58MR064D
44/52
Figure 19. Block Erase Flowchart and Pseudo Code
Write 20h
Command
AI90105
Start
Write Block Address
& D0h Command
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
NO
b4, b5 = 0
VPP Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error (1)
EE instruction:
– write 20h command
– write Block Address (A12-A21) &
command D0h
(memory enters read status state after
the EE instruction)
do:
– read status register (E or G must be
toggled) if PES instruction given execute
suspend erase loop
while b7 = 1
If b3 = 1, VPP invalid error:
– error handler
If b4, b5 = 1, Command sequence error:
– error handler
YES
NO
b5 = 0
Erase Error (1)
YES
NO
Suspend
Loop
If b5 = 1, Erase error:
– error handler
End
YES
NO
b1 = 0
Erase to Protected
Block Error (1)
If b1 = 1, Erase to protected block error:
– error handler
YES
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PDF描述 |
|---|---|
| M58MR064C120ZC6T | 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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