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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58MR064D100ZC6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/52頁(yè) |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | M58MR064D100ZC6T |
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M58MR064C, M58MR064D
38/52
Table 30. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
(TA = –40 to 85 °C; VDD =VDDQ = 1.65V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
M58MR064
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
tAVAV
tWC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
tAVLH
Address Valid to Latch Enable High
10
ns
tDVEH
tDS
Input Valid to Chip Enable High
40
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Input Transition
0
ns
tEHEL
tCPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
30
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
0
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
60
ns
tELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
10
ns
tGHLL
Output Enable High to Latch Enable Low
20
ns
tLHAX
Latch Enable High to Address Transition
10
ns
tLHEH
Latch Enable High to Chip Enable High
10
ns
tLLLH
Latch Enable Pulse Width
10
ns
tVDHEL
tVCS
VDD High to Chip Enable Low
50
s
tVPPHEH
VPP High to Chip Enable High
200
ns
tEHVPPL
Chip Enable High to VPP Low
200
ns
tEHWPV
Chip Enable High to Write Protect Valid
200
ns
tWLEL
tWS
Chip Enable Low to Chip Enable Low
0
ns
tWPVEH
Write Protect Valid to Chip Enable High
200
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58MR064C120ZC6T | 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58MR064D120ZC6T | 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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| M59MR032D100ZC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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