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參數(shù)資料
| 型號： | M58MR064D100ZC6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 28/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 399K |
| 代理商： | M58MR064D100ZC6T |
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M58MR064C, M58MR064D
34/52
Table 28. Synchronous Burst Read AC Characteristics
(TA = –40 to 85°C; VDD =VDDQ = 1.65V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M58MR064
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
tAVK
tAVCLKH
Address Valid to Clock
7
ns
tELK
tCELCLKH
Chip Enable Low to Clock
7
ns
tK
tCLK
Clock Period
18
25
ns
tKAX
tCLKHAX
Clock to Address Transition
E =VIL,G =VIH
10
ns
tKHKL
tCLKHCLKL
Clock High
5
ns
tKLKH
tCLKLCLKH
Clock Low
5
ns
tKQV
tCLKHQV
Clock to Data Valid
Clock to BINV Valid
Clock to WAIT Valid
E =VIL,G =VIL
14
18
ns
tKQX
tCLKHQX
Clock to Output Transition
Clock to BINV Transition
Clock to WAIT Transition
E =VIL
44
ns
tLLK
tAVDLCLKH
Latch Enable Low to Clock
7
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58MR064C120ZC6T | 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M58PR001LE96ZAC5 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:512-Mbit or 1-Gbit (】 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply Flash memories |
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