參數(shù)資料
型號： K4N26323AE
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Mbit GDDR2 SDRAM
中文描述： 128Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 6/52頁
文件大?。?/td> 826K
代理商： K4N26323AE
- 6 -
Rev. 1.7 (Jan. 2003)
128M GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC
PIN CONFIGURATION
Mirror Package (Top View)
DQ23
A3
VDD
VSS
RFU
2
VDD
VDD
RFU
1
VSS
VDD
A4
DQ8
VREF
A2
A10
/RAS
NC
CKE
NC
ZQ
/CS
A9
A5
VREF
A0
A1
A11
BA0
/CAS
CK
/CK
/WE
BA1
A8/AP
A6
A7
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
DQS0
/DQS0
VSSQ
DQ3
DQ2
DQ0
DQ31
DQ29
DQ28
VSSQ
/DQS3
DQS3
DQ4
DM0
VDDQ
VDDQ
DQ1
VDDQ
VDDQ
DQ30
VDDQ
VDDQ
DM3
DQ27
DQ6
DQ5
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VDD
VDD
VSSQ
VSSQ
VSSQ
DQ26
DQ25
DQ7
VDDQ
VDD
VSS
VSSQ
VSS
VSS
VSSQ
VSS
VDD
VDDQ
DQ24
DQ17
DQ16
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
DQ15
DQ14
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
NC,
VSS
DQ19
DQ18
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
DQ13
DQ12
DQS2
/DQS2
NC
VSSQ
VSSQ
NC
/DQS1
DQS1
DQ20
DM2
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
DM1
DQ11
DQ21
DQ22
VDDQ
VSSQ
VSS
VSS
VSS
VSS
VSSQ
VDDQ
DQ9
DQ10
* Under consideration
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N26323AE-GC20 128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC22 128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC25 128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N56163QF 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC 256Mbit gDDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N26323AE-GC20 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC22 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N27 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N28 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
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