- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373064 > K4N26323AE (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 128Mbit GDDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N26323AE |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 15/52頁 |
| 文件大小： | 826K |
| 代理商： | K4N26323AE |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁當(dāng)前第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁
- 15 -
Rev. 1.7 (Jan. 2003)
128M GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC
Posted CAS
Posted CAS operation is supported to make command and data bus efficient for sustainable bandwidths in GDDR2
SDRAM. In this operation, the GDDR2 SDRAM allows a CAS read or write command to be issued tRCDmin or 1 tCK ear-
lier than tRCDmin after the RAS bank activate command. The command is held for the time of the Additive Latency (AL)
before it is issued inside the device. The Read Latency (RL) is controlled by the sum of AL and the CAS latency (CL).
Therefore if a user chooses to issue a R/W command before the tRCDmin, then AL (greater than 0) must be written into
the EMRS.
Examples of posted CAS operation
Example 1
Read followed by a write to the same bank
[AL = 1, t
RCD
= 9, CL = 7, RL = (AL + CL) = 8, WL = (AL + 1) = 2]
0
7
8
Example 2
Read followed by a write to the same bank
[AL = 0, t
RCD
= 9, CL = 7, RL = (AL + CL) = 7, WL = (AL + 1) = 1]
15
16
17
18
19
20
13
CMD
DQS
DQ
21
CK, CK
0
1
8
14
15
16
17
18
19
20
9
CMD
DQS
DQ
21
CK, CK
t
RL
Dout0 Dout1
Dou2
Dout3
Din0
Din1
Din2
Din3
Din0
Din1
Din2
Din3
Read
Active
Read
22
Active
Dout0 Dout1 Dout2 Dout3
14
23
22
t
HZ
tHZ > 1 tCK
t
RCD
RL
Write
t
WL
Write
t
WL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC20 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC22 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC22 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N27 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
| K4N28 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。