參數(shù)資料
型號(hào)： K4N26323AE
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Mbit GDDR2 SDRAM
中文描述： 128Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 17/52頁(yè)
文件大?。?/td> 826K
代理商： K4N26323AE
- 17 -
Rev. 1.7 (Jan. 2003)
128M GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC
NOP
Burst Read followed by Burst Write : AL = 1, CL = 7, RL = 8, WL = (AL+1) = 2
The seamless burst read operation is supported by enabling a read command at every other clock. This operation is
allowed regardless of same or different banks as long as the banks are activated.
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK, CK
0
2
1
7
8
9
10
11
READ A0
Post CAS
AL = 1
CL =7
RL = 8
DQS
READ A4
Post CAS
Seamless Burst Read Operation: CL = 7, AL = 1, RL = 8
CMD
Post CAS
READ A
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK, CK
0
6
1
8
9
10
11
12
DQS
WL = 2
RL =8
NOP
NOP
NOP
7
tHZ
DOUTA
0
DOUTA
0
DOUTA
1
DOUTA
2
DOUTA
3
DINA
0
DINA
1
DINA
2
DINA
3
NOP
tHZ > 1 tCK
Post CAS
Write A
NOP
DOUTA
1
DOUTA
2
DOUTA
3
DOUTA
4
DOUTA
6
DOUTA
5
13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N26323AE-GC20 128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC22 128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC25 128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N56163QF 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC 256Mbit gDDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N26323AE-GC20 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC22 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N27 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N28 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
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